Ez a chip gyorsulja le először az iPhone 7 processzorát
Pár nap, és minden részletre fény fog derülni a vadonatúj Snapdragon 835 chipkészletről.
A Qualcomm 2015-ben igencsak mellélőtt a fokozott melegedésre hajlamas és nem is túl acélos teljesítményű Snapdragon 810-es chipsettel, melynek 2016-os utódja, a négymagos Snapdragon 820 viszont nagyon is jól sikerült. Nemrégiben aztán kijöttek az első olyan okostelefonok, melyekben már a ráncfelvarrt 821-es Snapi található, illetve nyílt titok, hogy 2017 már a vadonatúj Snapdragon 835-ről fog szólni a Qualcommnál.
A Samsung gyártósorain a legmodernebb 10 nanométeres gyártási technológiák segítségével készülő új SoC prototípusa néhány hete már a sebességtesztekben is felbukkant, és nem meglepő módon minden vetélytársát maga mögé utasította. A Snapdragon 835 hivatalos leleplezésére január 6-án a CES 2017 szakkiállításon kerül majd sor, de egy friss kiszivárogtatásnak köszönhetően már most több új részletével is megismerkedhetünk.
Ezek szerint a Snapdragon 835 kisebb, gyorsabb és hatékonyabb működésű minden korábban megjelent mobil chipsetnél. A 3 milliárd tranzisztorral rendelkező újdonság a tavalyi Snapdragon 820-nál 30 százalékkal kisebb, 27 százalékkal gyorsabb és 40 százalékkal hatékonyabb működésű. A 3D grafikusteljesítmény 25 százalékkal nő a 820-as Snapihoz képest, ezenkívül pedig említést érdemel még a Quick Charge 4.0 gyorstöltő technológia, a továbbfejlesztett VR támogatás, illetve a harmadik generációs 4K videó képstabilizálás. A chipbe épített modem egyébként 45 százalékkal kisebb és 60 százalékkal hatékonyabb működésű, mint a Snapdragon 820-ban lévő elődje.
Kapcsolódó cikkek:
Vezeték nélkül lesz tölthető az iPhone 8?
10-féle iPhone 8 prototípust tesztelnek
Három méretben támadhat az iPhone 8
